HUF76609D3

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	HUF76609D3
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
Especificaciones:	HUF76609D3.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	2996 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2996 pcs

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Especificaciones de HUF76609D3

Número de pieza	HUF76609D3	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	2996 pcs	Ficha de datos	HUF76609D3.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±16V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-251AA
Serie	UltraFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	160 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)	49W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	425pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	16nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 10A (Tc) 49W (Tc) Through Hole TO-251AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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