H11B1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	H11B1
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
Especificaciones:	H11B1.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4284 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4284 pcs

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Especificaciones de H11B1

Número de pieza	H11B1	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4284 pcs	Ficha de datos	H11B1.pdf
Salida de voltaje - (Max)	25V	Voltaje - Aislamiento	5300Vrms
Voltaje hacia delante (Vf) (típico)	1.2V	VCE de saturación (Max)	1V
Tiempo de encendido / apagado (típico)	25µs, 18µs	Paquete del dispositivo	6-DIP
Serie	-	Tiempo de subida / bajada (típico)	-
embalaje	Tube	Paquete / Cubierta	6-DIP (0.300", 7.62mm)
Tipo de salida	Darlington with Base	Otros nombres	H11B1QT H11B1QT-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 100°C	número de canales	1
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo de entrada	DC
Descripción detallada	Optoisolator Darlington with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP	Relación de transferencia de corriente (mín)	500% @ 1mA
Relación de transferencia de corriente (máx)	-	Corriente - Salida / Canal	-
Corriente - Avance DC (Si) (Máx.)	100mA

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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