FQT2P25TF

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQT2P25TF
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223
Especificaciones:	1.FQT2P25TF.pdf 2.FQT2P25TF.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	114760 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 114760 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.334

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Especificaciones de FQT2P25TF

Número de pieza	FQT2P25TF	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 250V 0.55A SOT-223	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	114760 pcs	Ficha de datos	1.FQT2P25TF.pdf 2.FQT2P25TF.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-223-4
Serie	QFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	4 Ohm @ 275mA, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	TO-261-4, TO-261AA	Otros nombres	FQT2P25TFDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	8.5nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	250V
Descripción detallada	P-Channel 250V 550mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223-4	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	550mA (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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