FQPF13N10L

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQPF13N10L
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F
Especificaciones:	FQPF13N10L.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6796 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6796 pcs

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Especificaciones de FQPF13N10L

Número de pieza	FQPF13N10L	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 8.7A TO-220F	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6796 pcs	Ficha de datos	FQPF13N10L.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220F
Serie	QFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	180 mOhm @ 4.35A, 10V
La disipación de energía (máximo)	30W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3 Full Pack	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	520pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	12nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 8.7A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	8.7A (Tc)

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Después de las ventas
Especificaciones

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