FQP17P10

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQP17P10
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
Especificaciones:	1.FQP17P10.pdf 2.FQP17P10.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	73896 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 73896 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.46

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Especificaciones de FQP17P10

Número de pieza	FQP17P10	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	73896 pcs	Ficha de datos	1.FQP17P10.pdf 2.FQP17P10.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220-3
Serie	QFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	190 mOhm @ 8.25A, 10V
La disipación de energía (máximo)	100W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	39nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	P-Channel 100V 16.5A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	16.5A (Tc)

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Especificaciones

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