FQP12N60C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQP12N60C
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 600V 12A TO-220
Especificaciones:	1.FQP12N60C.pdf 2.FQP12N60C.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	39749 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 39749 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.917

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Especificaciones de FQP12N60C

Número de pieza	FQP12N60C	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 600V 12A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	39749 pcs	Ficha de datos	1.FQP12N60C.pdf 2.FQP12N60C.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220-3
Serie	QFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	650 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	225W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2290pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	63nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	600V	Descripción detallada	N-Channel 600V 12A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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