FQD9N08TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQD9N08TM
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK
Especificaciones:	1.FQD9N08TM.pdf 2.FQD9N08TM.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6388 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6388 pcs

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Especificaciones de FQD9N08TM

Número de pieza	FQD9N08TM	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 80V 7.4A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6388 pcs	Ficha de datos	1.FQD9N08TM.pdf 2.FQD9N08TM.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D-Pak
Serie	QFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	210 mOhm @ 3.7A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 25W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	7.7nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	80V	Descripción detallada	N-Channel 80V 7.4A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount D-Pak
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7.4A (Tc)

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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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