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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | FQD5P10TM | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 100V 3.6A DPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 222983 pcs | Ficha de datos | 1.FQD5P10TM.pdf2.FQD5P10TM.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | D-Pak |
| Serie | QFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 1.8A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Otros nombres | FQD5P10TM-ND FQD5P10TM_X FQD5P10TMFSTR |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | P-Channel 100V 3.6A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount D-Pak | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.6A (Tc) |
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|---|---|---|
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