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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | FQD3N60CTM-WS | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 251320 pcs | Ficha de datos | FQD3N60CTM-WS.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | D-Pak |
| Serie | QFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 3.4 Ohm @ 1.2A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 50W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Otros nombres | FQD3N60CTM-WS-ND FQD3N60CTM-WSTR FQD3N60CTM_WS FQD3N60CTM_WS-ND FQD3N60CTM_WSTR FQD3N60CTM_WSTR-ND FQD3N60CTMWS |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 565pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 600V |
| Descripción detallada | N-Channel 600V 2.4A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount D-Pak | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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