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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | FQD12P10TM-F085 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET P-CH 100V 9.4A DPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 195830 pcs | Ficha de datos | FQD12P10TM-F085.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | TO-252, (D-Pak) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | RDS (Max) @Id, Vgs | 290 mOhm @ 4.7A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Otros nombres | FQD12P10TM-F085TR FQD12P10TM_F085 FQD12P10TM_F085-ND FQD12P10TM_F085TR FQD12P10TM_F085TR-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 100V |
| Descripción detallada | P-Channel 100V 9.4A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Tc) |
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|---|---|---|
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