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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | FQB34N20TM-AM002 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 60734 pcs | Ficha de datos | FQB34N20TM-AM002.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie | QFET® | RDS (Max) @Id, Vgs | 75 mOhm @ 15.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 3.13W (Ta), 180W (Tc) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Otros nombres | FQB34N20TM-AM002TR FQB34N20TM_AM002 FQB34N20TM_AM002TR FQB34N20TM_AM002TR-ND FQB34N20TMAM002 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 78nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V |
| Descripción detallada | N-Channel 200V 31A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 31A (Tc) |
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|---|---|---|
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