FQB14N15TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQB14N15TM
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 150V 14.4A D2PAK
Especificaciones:	FQB14N15TM.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5645 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5645 pcs

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Especificaciones de FQB14N15TM

Número de pieza	FQB14N15TM	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 150V 14.4A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5645 pcs	Ficha de datos	FQB14N15TM.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D²PAK (TO-263AB)
Serie	QFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	210 mOhm @ 7.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.75W (Ta), 104W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	715pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	23nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	150V	Descripción detallada	N-Channel 150V 14.4A (Tc) 3.75W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	14.4A (Tc)

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Especificaciones

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