FQB11N40TM

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQB11N40TM
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
Especificaciones:	FQB11N40TM.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3666 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3666 pcs

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Especificaciones de FQB11N40TM

Número de pieza	FQB11N40TM	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3666 pcs	Ficha de datos	FQB11N40TM.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D²PAK (TO-263AB)
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	480 mOhm @ 5.7A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.13W (Ta), 147W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	35nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	400V	Descripción detallada	N-Channel 400V 11.4A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11.4A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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