FQAF6N80

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FQAF6N80
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF
Especificaciones:	FQAF6N80.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5491 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5491 pcs

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Especificaciones de FQAF6N80

Número de pieza	FQAF6N80	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5491 pcs	Ficha de datos	FQAF6N80.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-3PF
Serie	QFET®	RDS (Max) @Id, Vgs	1.95 Ohm @ 2.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	90W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	SC-94	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	31nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	800V	Descripción detallada	N-Channel 800V 4.4A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-3PF
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	4.4A (Tc)

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Después de las ventas
Especificaciones

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