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FQA6N70

AMI Semiconductor / ON SemiconductorAMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Descripción del producto

Número de pieza: FQA6N70
Fabricante / Marca: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto MOSFET N-CH 700V 6.4A TO-3P
Especificaciones: FQA6N70.pdf
Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock 5253 pcs stock
Nave de Hong Kong
Manera del envío DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 5253 pcs
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Especificaciones de FQA6N70

Número de pieza FQA6N70 Fabricante AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción MOSFET N-CH 700V 6.4A TO-3P Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible 5253 pcs Ficha de datos FQA6N70.pdf
VGS (th) (Max) @Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V
Tecnología MOSFET (Metal Oxide) Paquete del dispositivo TO-3P
Serie QFET® RDS (Max) @Id, Vgs 1.5 Ohm @ 3.2A, 10V
La disipación de energía (máximo) 152W (Tc) embalaje Tube
Paquete / Cubierta TO-3P-3, SC-65-3 Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs 40nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Característica de FET - Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las 700V Descripción detallada N-Channel 700V 6.4A (Tc) 152W (Tc) Through Hole TO-3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C 6.4A (Tc)

Modo de transporte

★ ENVÍO GRATUITO A TRAVÉS DE DHL / FEDEX / UPS SI PIDE UNA CANTIDAD MÁS DE 1,000 USD.
(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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