FJP2160DTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FJP2160DTU
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	TRANS NPN 800V 2A TO-220
Especificaciones:	FJP2160DTU.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	66821 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66821 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.558

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Especificaciones de FJP2160DTU

Número de pieza	FJP2160DTU	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	TRANS NPN 800V 2A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	66821 pcs	Ficha de datos	FJP2160DTU.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)	800V	VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic	750mV @ 330mA, 1A
Tipo de transistor	NPN	Paquete del dispositivo	TO-220-3
Serie	ESBC™	Potencia - Max	100W
embalaje	Tube	Paquete / Cubierta	TO-220-3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 125°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición	5MHz	Descripción detallada	Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 2A 5MHz 100W Through Hole TO-220-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 400mA, 3V	Corriente - corte del colector (Max)	100µA
Corriente - colector (Ic) (Max)	2A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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