FDW2507N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDW2507N
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP
Especificaciones:	FDW2507N.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5533 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5533 pcs

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Especificaciones de FDW2507N

Número de pieza	FDW2507N	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8-TSSOP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5533 pcs	Ficha de datos	FDW2507N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-TSSOP
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	19 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Potencia - Max	1.1W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2152pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	28nC @ 4.5V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.5A 1.1W Surface Mount 8-TSSOP	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7.5A

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