FDU3706

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDU3706
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 20V 14.7A I-PAK
Especificaciones:	FDU3706.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6046 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6046 pcs

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Especificaciones de FDU3706

Número de pieza	FDU3706	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 20V 14.7A I-PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6046 pcs	Ficha de datos	FDU3706.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	IPAK (TO-251)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	9 mOhm @ 16.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.8W (Ta), 44W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1882pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	23nC @ 4.5V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	N-Channel 20V 14.7A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 44W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	14.7A (Ta), 50A (Tc)

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Especificaciones

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