FDT439N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDT439N
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223
Especificaciones:	1.FDT439N.pdf 2.FDT439N.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	290620 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 290620 pcs

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Especificaciones de FDT439N

Número de pieza	FDT439N	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	290620 pcs	Ficha de datos	1.FDT439N.pdf 2.FDT439N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SOT-223-4
Serie	-	RDS (Max) @Id, Vgs	45 mOhm @ 6.3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	3W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-261-4, TO-261AA	Otros nombres	FDT439N-ND FDT439NTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	500pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	15nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 6.3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6.3A (Ta)

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Después de las ventas
Especificaciones

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