FDS6912A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDS6912A
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Especificaciones:	FDS6912A.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	286318 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 286318 pcs

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Especificaciones de FDS6912A

Número de pieza	FDS6912A	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	286318 pcs	Ficha de datos	FDS6912A.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	28 mOhm @ 6A, 10V
Potencia - Max	900mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	FDS6912ATR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	575pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	8.1nC @ 5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6A

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Después de las ventas
Especificaciones

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