FDS4501H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDS4501H
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC
Especificaciones:	FDS4501H.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	157154 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 157154 pcs

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Especificaciones de FDS4501H

Número de pieza	FDS4501H	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	157154 pcs	Ficha de datos	FDS4501H.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	18 mOhm @ 9.3A, 10V
Potencia - Max	1W	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	FDS4501H-ND FDS4501HFSTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1958pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	27nC @ 4.5V
Tipo FET	N and P-Channel	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V, 20V	Descripción detallada	Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 9.3A, 5.6A 1W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	9.3A, 5.6A

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