FDS4435A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDS4435A
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
Especificaciones:	FDS4435A.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	6860 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6860 pcs

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Especificaciones de FDS4435A

Número de pieza	FDS4435A	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	6860 pcs	Ficha de datos	FDS4435A.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	17 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Otros nombres	FDS4435ACT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2010pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	30nC @ 5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	P-Channel 30V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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