FDS3601

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDS3601
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Especificaciones:	FDS3601.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	4087 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4087 pcs

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Especificaciones de FDS3601

Número de pieza	FDS3601	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	4087 pcs	Ficha de datos	FDS3601.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Paquete del dispositivo	8-SO
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	480 mOhm @ 1.3A, 10V
Potencia - Max	900mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	153pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	5nC @ 10V	Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica de FET	Logic Level Gate	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.3A 900mW Surface Mount 8-SO	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	1.3A

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