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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | FDS2672-F085 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 106551 pcs | Ficha de datos | FDS2672-F085.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | 8-SO |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ | RDS (Max) @Id, Vgs | 70 mOhm @ 3.9A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 2.5W (Ta) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | Otros nombres | FDS2672-F085TR FDS2672_F085 FDS2672_F085-ND FDS2672_F085TR FDS2672_F085TR-ND FDS2672_TF085 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2535pF @ 100V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 200V |
| Descripción detallada | N-Channel 200V 3.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 3.9A (Ta) |
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|---|---|---|
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