FDP8880

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDP8880
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
Especificaciones:	1.FDP8880.pdf 2.FDP8880.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	93085 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 93085 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.407

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Especificaciones de FDP8880

Número de pieza	FDP8880	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	93085 pcs	Ficha de datos	1.FDP8880.pdf 2.FDP8880.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220AB
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	11.6 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo)	55W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	FDP8880-ND FDP8880FS
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1240pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	29nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 11A (Ta), 54A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220AB	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11A (Ta), 54A (Tc)

Modo de transporte
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Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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