FDP4D5N10C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDP4D5N10C
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	FET ENGR DEV-NOT REL
Especificaciones:	FDP4D5N10C.pdf
Condición de stock	26380 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 26380 pcs

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800 pcs: $1.458

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Especificaciones de FDP4D5N10C

Número de pieza	FDP4D5N10C	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	FET ENGR DEV-NOT REL	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	26380 pcs	Ficha de datos	FDP4D5N10C.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 310µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220-3
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	4.5 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.4W (Ta), 150W (Tc)	Paquete / Cubierta	TO-220-3
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Estado sin plomo	Lead free	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5065pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	68nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 128A (Tc) 2.4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	128A (Tc)

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