FDP16AN08A0

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDP16AN08A0
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB
Especificaciones:	1.FDP16AN08A0.pdf 2.FDP16AN08A0.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	33088 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 33088 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.941

10 pcs: $0.852

100 pcs: $0.684

800 pcs: $0.481

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Especificaciones de FDP16AN08A0

Número de pieza	FDP16AN08A0	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 75V 58A TO-220AB	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	33088 pcs	Ficha de datos	1.FDP16AN08A0.pdf 2.FDP16AN08A0.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220-3
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	16 mOhm @ 58A, 10V
La disipación de energía (máximo)	135W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Otros nombres	FDP16AN08A0-ND FDP16AN08A0FS
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1857pF @ 25V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	42nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	75V
Descripción detallada	N-Channel 75V 9A (Ta), 58A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Ta), 58A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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