FDP12N50

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDP12N50
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220
Especificaciones:	1.FDP12N50.pdf 2.FDP12N50.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	50134 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 50134 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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10 pcs: $0.623

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Especificaciones de FDP12N50

Número de pieza	FDP12N50	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 500V 11.5A TO-220	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	50134 pcs	Ficha de datos	1.FDP12N50.pdf 2.FDP12N50.pdf
VGS (th) (Max) @Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-220-3
Serie	UniFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	650 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	165W (Tc)	embalaje	Tube
Paquete / Cubierta	TO-220-3	Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole	Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1315pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	30nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	500V	Descripción detallada	N-Channel 500V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	11.5A (Tc)

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Especificaciones

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