FDN86501LZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDN86501LZ
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3
Especificaciones:	FDN86501LZ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	45410 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 45410 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.643

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Especificaciones de FDN86501LZ

Número de pieza	FDN86501LZ	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 2.6A SSOT3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	45410 pcs	Ficha de datos	FDN86501LZ.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SuperSOT-3
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	116 mOhm @ 2.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	1.5W (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	FDN86501LZCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	335pF @ 30V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	5.4nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 2.6A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount SuperSOT-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.6A (Ta)

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Después de las ventas
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