FDN327N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDN327N
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3
Especificaciones:	1.FDN327N.pdf 2.FDN327N.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	650185 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 650185 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

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Especificaciones de FDN327N

Número de pieza	FDN327N	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	650185 pcs	Ficha de datos	1.FDN327N.pdf 2.FDN327N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	SuperSOT-3
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	70 mOhm @ 2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	500mW (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Otros nombres	FDN327N-ND FDN327NTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	423pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	6.3nC @ 4.5V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	N-Channel 20V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2A (Ta)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

FEDEX	www.FedEx.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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