FDMS3660S-F121

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMS3660S-F121
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN
Especificaciones:	FDMS3660S-F121.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5169 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5169 pcs

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Especificaciones de FDMS3660S-F121

Número de pieza	FDMS3660S-F121	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A 8-PQFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5169 pcs	Ficha de datos	FDMS3660S-F121.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.7V @ 250µA	Paquete del dispositivo	Power56
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	8 mOhm @ 13A, 10V
Potencia - Max	1W	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	FDMS3660S-F121CT FDMS3660S_F121CT FDMS3660S_F121CT-ND
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1765pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	29nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	13A, 30A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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