FDMS030N06B

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMS030N06B
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 60V 22.1A POWER56
Especificaciones:	FDMS030N06B.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	74948 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 74948 pcs

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Especificaciones de FDMS030N06B

Número de pieza	FDMS030N06B	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 60V 22.1A POWER56	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	74948 pcs	Ficha de datos	FDMS030N06B.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-PQFN (5x6)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	3 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.5W (Ta), 104W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN	Otros nombres	FDMS030N06B-ND FDMS030N06BTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	7560pF @ 30V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	75nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	60V
Descripción detallada	N-Channel 60V 22.1A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	22.1A (Ta), 100A (Tc)

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Después de las ventas
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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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