FDMS003N08C

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMS003N08C
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	FET ENGR DEV-NOT REL
Especificaciones:	FDMS003N08C.pdf
Condición de stock	31672 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 31672 pcs

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3000 pcs: $1.175

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Especificaciones de FDMS003N08C

Número de pieza	FDMS003N08C	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	FET ENGR DEV-NOT REL	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	31672 pcs	Ficha de datos	FDMS003N08C.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 310µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	Power56
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	3.1 mOhm @ 56A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.7W (Ta), 125W (Tc)	Paquete / Cubierta	8-PowerTDFN
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Estado sin plomo	Lead free	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5350pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	73nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	80V	Descripción detallada	N-Channel 80V 22A (Ta), 147A (Tc) 2.7W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount Power56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	22A (Ta), 147A (Tc)

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Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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