FDMC8878

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMC8878
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33
Especificaciones:	FDMC8878.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	59477 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 59477 pcs

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Especificaciones de FDMC8878

Número de pieza	FDMC8878	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 9.6A POWER33	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	59477 pcs	Ficha de datos	FDMC8878.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-MLP (3.3x3.3), Power33
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	14 mOhm @ 9.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.1W (Ta), 31W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	FDMC8878DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1230pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	26nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 9.6A (Ta), 16.5A (Tc) 2.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3), Power33	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	9.6A (Ta), 16.5A (Tc)

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Después de las ventas
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