FDMC86184

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMC86184
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
Especificaciones:	FDMC86184.pdf
Condición de stock	43448 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 43448 pcs

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Especificaciones de FDMC86184

Número de pieza	FDMC86184	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN	Estado Libre de plomo / Estado RoHS
cantidad disponible	43448 pcs	Ficha de datos	FDMC86184.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 110µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	8.5 mOhm @ 21A, 10V
La disipación de energía (máximo)	54W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	FDMC86184DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2090pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	20nC @ 6V	Tipo FET	N-Channel
Característica de FET	-	Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V	Descripción detallada	N-Channel 100V 57A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	57A (Tc)

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