FDMC86102LZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMC86102LZ
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP
Especificaciones:	FDMC86102LZ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	43756 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 43756 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

1 pcs: $0.657

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Especificaciones de FDMC86102LZ

Número de pieza	FDMC86102LZ	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	43756 pcs	Ficha de datos	FDMC86102LZ.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-MLP (3.3x3.3)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	24 mOhm @ 6.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.3W (Ta), 41W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	FDMC86102LZCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1290pF @ 50V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	22nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 7A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Ta), 18A (Tc)

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Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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