FDMC8026S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMC8026S
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP
Especificaciones:	FDMC8026S.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	163286 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 163286 pcs

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Especificaciones de FDMC8026S

Número de pieza	FDMC8026S	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	163286 pcs	Ficha de datos	FDMC8026S.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-MLP (3.3x3.3)
Serie	PowerTrench®, SyncFET™	RDS (Max) @Id, Vgs	4.4 mOhm @ 19A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.4W (Ta), 36W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	FDMC8026S-ND FDMC8026STR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3165pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	52nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 19A (Ta), 21A (Tc) 2.4W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Ta), 21A (Tc)

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