FDMC6675BZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMC6675BZ
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33
Especificaciones:	FDMC6675BZ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	89297 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 89297 pcs

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Especificaciones de FDMC6675BZ

Número de pieza	FDMC6675BZ	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	89297 pcs	Ficha de datos	FDMC6675BZ.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-MLP (3.3x3.3)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	14.4 mOhm @ 9.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.3W (Ta), 36W (Tc)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	FDMC6675BZCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2865pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	65nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	P-Channel 30V 9.5A (Ta), 20A (Tc) 2.3W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	9.5A (Ta), 20A (Tc)

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