FDMB668P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMB668P
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8
Especificaciones:	FDMB668P.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	5519 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5519 pcs

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Especificaciones de FDMB668P

Número de pieza	FDMB668P	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	5519 pcs	Ficha de datos	FDMB668P.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	35 mOhm @ 6.1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)	1.9W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	8-PowerWDFN	Otros nombres	FDMB668PTR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2085pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	59nC @ 10V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	P-Channel 20V 6.1A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	6.1A (Ta)

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