FDMA86251

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMA86251
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-MLP
Especificaciones:	FDMA86251.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	232008 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 232008 pcs

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Especificaciones de FDMA86251

Número de pieza	FDMA86251	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 150V 2.4A 6-MLP	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	232008 pcs	Ficha de datos	FDMA86251.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	6-MicroFET (2x2)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	175 mOhm @ 2.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)	2.4W (Ta)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-WDFN Exposed Pad	Otros nombres	FDMA86251TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	363pF @ 75V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	5.8nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	150V
Descripción detallada	N-Channel 150V 2.4A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	2.4A (Ta)

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