FDMA507PZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDMA507PZ
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
Especificaciones:	FDMA507PZ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	97274 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 97274 pcs

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Especificaciones de FDMA507PZ

Número de pieza	FDMA507PZ	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	97274 pcs	Ficha de datos	FDMA507PZ.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	6-MicroFET (2x2)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	24 mOhm @ 7.8A, 5V
La disipación de energía (máximo)	2.4W (Ta)	embalaje	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta	6-WDFN Exposed Pad	Otros nombres	FDMA507PZCT
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2015pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	42nC @ 5V
Tipo FET	P-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V
Descripción detallada	P-Channel 20V 7.8A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7.8A (Ta)

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