FDG6335N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDG6335N
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363
Especificaciones:	FDG6335N.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	412627 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 412627 pcs

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Especificaciones de FDG6335N

Número de pieza	FDG6335N	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT-363	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	412627 pcs	Ficha de datos	FDG6335N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	SC-70-6
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	300 mOhm @ 700mA, 4.5V
Potencia - Max	300mW	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Otros nombres	FDG6335N-ND FDG6335NTR Q1609797
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	113pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	1.4nC @ 4.5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 700mA 300mW Surface Mount SC-70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	700mA

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Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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