| Número de pieza | FDG6301N-F085 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 165375 pcs | Ficha de datos | FDG6301N-F085.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 1.5V @ 250µA | Paquete del dispositivo | SC-70-6 |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 | RDS (Max) @Id, Vgs | 4 Ohm @ 220mA, 4.5V |
| Potencia - Max | 300mW | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Otros nombres | FDG6301N-F085CT FDG6301N_F085CT FDG6301N_F085CT-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9.5pF @ 10V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 0.4nC @ 4.5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | Característica de FET | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 25V | Descripción detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 220mA 300mW Surface Mount SC-70-6 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 220mA |
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|---|---|---|
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