FDD8778

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDD8778
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 25V 35A DPAK
Especificaciones:	FDD8778.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	330265 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 330265 pcs

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

2500 pcs: $0.109

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Especificaciones de FDD8778

Número de pieza	FDD8778	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 25V 35A DPAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	330265 pcs	Ficha de datos	FDD8778.pdf
VGS (th) (Max) @Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-252AA
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	14 mOhm @ 35A, 10V
La disipación de energía (máximo)	39W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	FDD8778TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	845pF @ 13V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	18nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	25V
Descripción detallada	N-Channel 25V 35A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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