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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | FDD86367-F085 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 80V 100A DPAK | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 133055 pcs | Ficha de datos | FDD86367-F085.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | D-PAK (TO-252) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | RDS (Max) @Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 80A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 227W (Tj) | embalaje | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Otros nombres | FDD86367-F085TR FDD86367_F085 FDD86367_F085TR FDD86367_F085TR-ND FDD86367F085 |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4840pF @ 40V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 88nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 80V |
| Descripción detallada | N-Channel 80V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount D-PAK (TO-252) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
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|---|---|---|
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