FDD86110

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDD86110
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3
Especificaciones:	FDD86110.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	37869 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 37869 pcs

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Especificaciones de FDD86110

Número de pieza	FDD86110	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	37869 pcs	Ficha de datos	FDD86110.pdf
VGS (th) (Max) @Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	D-PAK (TO-252)
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	10.2 mOhm @ 12.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)	3.1W (Ta), 127W (Tc)	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Otros nombres	FDD86110DKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2265pF @ 50V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	35nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	100V
Descripción detallada	N-Channel 100V 12.5A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 127W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	12.5A (Ta), 50A (Tc)

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