FDC6401N

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDC6401N
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
Especificaciones:	FDC6401N.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	119238 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 119238 pcs

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Especificaciones de FDC6401N

Número de pieza	FDC6401N	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	119238 pcs	Ficha de datos	FDC6401N.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	SuperSOT™-6
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	70 mOhm @ 3A, 4.5V
Potencia - Max	700mW	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Otros nombres	FDC6401NDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	324pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	4.6nC @ 4.5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	3A

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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