FDC6000NZ

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDC6000NZ
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT
Especificaciones:	FDC6000NZ.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	3108 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3108 pcs

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Especificaciones de FDC6000NZ

Número de pieza	FDC6000NZ	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6SSOT	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	3108 pcs	Ficha de datos	FDC6000NZ.pdf
VGS (th) (Max) @Id	1.5V @ 250µA	Paquete del dispositivo	SuperSOT™-6 FLMP
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	20 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Potencia - Max	1.2W	embalaje	Original-Reel®
Paquete / Cubierta	6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP	Otros nombres	FDC6000NZDKR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 10V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	11nC @ 4.5V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Característica de FET	Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	20V	Descripción detallada	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 7.3A 1.2W Surface Mount SuperSOT™-6 FLMP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	7.3A

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