FDB8860

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descripción del producto

Número de pieza:	FDB8860
Fabricante / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción del producto	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Especificaciones:	FDB8860.pdf
Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
Condición de stock	59876 pcs stock
Nave de	Hong Kong
Manera del envío	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 59876 pcs

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Especificaciones de FDB8860

Número de pieza	FDB8860	Fabricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción	MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK	Estado Libre de plomo / Estado RoHS	Sin plomo / Cumple con RoHS
cantidad disponible	59876 pcs	Ficha de datos	FDB8860.pdf
VGS (th) (Max) @Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)	Paquete del dispositivo	TO-263AB
Serie	PowerTrench®	RDS (Max) @Id, Vgs	2.3 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)	254W (Tc)	embalaje	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Otros nombres	FDB8860TR
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo de montaje	Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)	1 (Unlimited)	Estado sin plomo / Estado RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	12585pF @ 15V	Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs	214nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Característica de FET	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las	30V
Descripción detallada	N-Channel 30V 80A (Tc) 254W (Tc) Surface Mount TO-263AB	Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C	80A (Tc)

Modo de transporte
Después de las ventas
Especificaciones

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(SOLO PARA Circuitos Integrados, Protección de Circuitos, RF / IF y RFID, Optoelectrónica, Sensores, Transductores, Transformadores, Aisladores, Interruptores, Relés)

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DHL	www.DHL.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.
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TNT	www.TNT.com	Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país.

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