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AMI Semiconductor / ON Semiconductor
| Número de pieza | FDB86360-F085 | Fabricante | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Descripción | MOSFET N-CH 80V 110A TO263 | Estado Libre de plomo / Estado RoHS | Sin plomo / Cumple con RoHS |
| cantidad disponible | 17283 pcs | Ficha de datos | FDB86360-F085.pdf |
| VGS (th) (Max) @Id | 4.5V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) | Paquete del dispositivo | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | RDS (Max) @Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 80A, 10V |
| La disipación de energía (máximo) | 333W (Tc) | embalaje | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Otros nombres | FDB86360-F085CT FDB86360_F085CT FDB86360_F085CT-ND |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo de montaje | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (Unlimited) | Estado sin plomo / Estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14600pF @ 25V | Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs | 253nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Característica de FET | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las | 80V |
| Descripción detallada | N-Channel 80V 110A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) | Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Desde $ 35.00 la tarifa de envío básica depende de la zona y el país. |
|---|---|---|
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